Das Dotieren der Halbleiter erzeugt zusätzliche Energieniveaus zwischen dem Valenz- und dem Leitungsband.
Bei n – dotierten Halbleitern befindet sich das zusätzliche Energieniveau knapp unterhalb des Leitungsbandes. Die Elektronen, die sich auf diesem Leitungsband befinden benötigen nur eine geringe Energie, um in das Leitungsband zur wechseln.
Bei p – dotierten Halbleitern befindet sich das zusätzliche Energieniveau knapp oberhalb des Valenzbandes. Die Elektronen aus dem Valenzband benötigen nur eine geringe Energie, um in dieses Band zu springen. Im Valenzband bleiben Löcher zurück, die als quasi „positive Ladungsträger“ fungieren